硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

郑茳; 许居衍

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

更新时间：2025-12-08

- 硅异质结和赝异质结双极器件研究进展
- Research and Progress of Silicon Heterojunction and Pseudo-Heterojunctgion Bipolar Devices
- 电子学报 1995年第10期
- 作者机构：
  
  东南大学－华晶无锡微电子应用研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN322.8
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]郑茳,许居衍.硅异质结和赝异质结双极器件研究进展[J].电子学报,1995(10):144-147.

郑茳, 许居衍. Research and Progress of Silicon Heterojunction and Pseudo-Heterojunctgion Bipolar Devices[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (10).
[1]郑茳,许居衍.硅异质结和赝异质结双极器件研究进展[J].电子学报,1995(10):144-147. DOI：

郑茳, 许居衍. Research and Progress of Silicon Heterojunction and Pseudo-Heterojunctgion Bipolar Devices[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (10). DOI：

摘要

本文作者结合自己的工作，综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展，指出ＧｅＳｉＨＢＴ将成为双极结构的主流技术，硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。

Abstract

The research and progress of silicon heterojunction and pseudo-heterojunction bipolar devices are summarized on the basis of our previous work. It is indicated that GeSi HBT will be the dominant technique of silicon bipolar stuctures

and silicon pseudo-heterojunction bipolartransistor has the superiority for low temperature application.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

对二维Graphene/VS₂/BN范德华多层异质结构作为LIBs的阳极材料的相关研究

硅微通道板电子倍增器

α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展