两段式双稳半导体激光器的行波研究

罗斌; 吕鸿昌; 陈建国

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两段式双稳半导体激光器的行波研究

更新时间：2025-12-08

- 两段式双稳半导体激光器的行波研究
- Travelling Wave Treatment of Two-Segment Bistable Semicondoctor Lasers
- 电子学报 1995年第5期
- 作者机构：
  
  1. 西南交通大学计算机系
  2. 四川大学光电科学技术系
  3. 西南交通大学计算机系四川大学光电科学技术系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]罗斌,吕鸿昌,陈建国.两段式双稳半导体激光器的行波研究[J].电子学报,1995(05):32-35.

罗斌, 吕鸿昌, 陈建国. Travelling Wave Treatment of Two-Segment Bistable Semicondoctor Lasers[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (5).
[1]罗斌,吕鸿昌,陈建国.两段式双稳半导体激光器的行波研究[J].电子学报,1995(05):32-35. DOI：

罗斌, 吕鸿昌, 陈建国. Travelling Wave Treatment of Two-Segment Bistable Semicondoctor Lasers[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (5). DOI：

摘要

采用行波速率方程组对两段式双稳半导体激光器进行理论分析，推导出了腔内光子通量的隐含形式解，利用解析结果，可以进一步探讨双稳半导体激光器的特性。

Abstract

Travelling wave rate equations have been used to study the optical bistability of the two-segment laser diodes.Closed form solutions for photon flux inside the cavity have been deduced and some aspects of the bistable lasers discussed.

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