分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响

陈莉; 邱关源

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分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响

更新时间：2025-12-08

- 分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响
- Effects of Distributed capacitance on CCII Based MOSFET-C Integrated Continuous-Time Bandpass Filter
- 电子学报 1995年第8期
- 作者机构：
  
  西安交通大学电气系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN713
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]陈莉,邱关源.分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响[J].电子学报,1995(08):83-85.

陈莉, 邱关源. Effects of Distributed capacitance on CCII Based MOSFET-C Integrated Continuous-Time Bandpass Filter[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8).
[1]陈莉,邱关源.分布电容对CCII　MOSFET－C集成连续时间带通滤波器的影响[J].电子学报,1995(08):83-85. DOI：

陈莉, 邱关源. Effects of Distributed capacitance on CCII Based MOSFET-C Integrated Continuous-Time Bandpass Filter[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8). DOI：

摘要

本文用极点分析方法详细地探讨了在高频工作下的ＣＣＩＩＭＯＳＦＥＴ－Ｃ连续时间带通滤波器，从极点位移直观地反映了ＭＯＳＦＥＴ分布电容及非理想ＣＣＩＩ对主极点频率ωｐ和品质因数Ｑｐ的影响．还用计算机模拟进行了验证。

Abstract

This paper considers in detail the response of CCII based MOSFET-C continuoustime bandpass filter at high frequencies using the pole analysis.The dominant pole deviation reflects directly the effects of distributed capacitance of the MOSFETs and the nonideality of CCII on the dominant pole frequency ωp and quality factor Qp.The analyses are verified with computer simulation.

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