SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟

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更新时间：2025-12-08

- SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟
- Computer Simulation of I-V Characteristics of SOI MOSFET
- 电子学报 1995年第2期
- 作者机构：
  
  1. 清华大学微电子所
  2. 香港科技大学电机电子工程系
  3. 清华大学微电子所香港科技大学电机电子工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  高等学校博士学科点专项科研基金,国家基础性研究重大关键项目,计划（攀登计划）研究课题
- DOI：
  中图分类号： TP391.9
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]王煜,张鹏飞,侯东彦,钱佩信,罗台秦.SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟[J].电子学报,1995(02):30-34.

王煜, 张鹏飞, 侯东彦, et al. Computer Simulation of I-V Characteristics of SOI MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2).
[1]王煜,张鹏飞,侯东彦,钱佩信,罗台秦.SOI　MOSFETI－V特性的计算机模拟[J].电子学报,1995(02):30-34. DOI：

王煜, 张鹏飞, 侯东彦, et al. Computer Simulation of I-V Characteristics of SOI MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2). DOI：

本文研究了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的Ｉ－Ｖ特性，建立了一套模拟ＳＯＩ器件工作特性的解析模型，适用于不同的ＳＯＩ膜厚和各种前、背栅的偏置情况，在各种不同情况下由计算机自动选择适当模型进行拟合，该模型物理意义明确，计算简便快速，所用参数易于提取。

The I-V characteristics of SOI MOSFET are studied and an analytic model for SOI MOS devices is established.The model

which is valid for any SOI film thickness and each kind of front/back-gate bias conditions

has such advantages as analytic expression

clear physical meaning

simple and quick calculation

and easy extraction of used parameters.For each SOI film thickness or back gate bias

the suitable expression will be adopted automatically by the computer.The simulation results are well consistent with the experimental data.

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