双异质结激光器的Auger复合分析

夏瑞东; 常悦; 庄蔚华

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双异质结激光器的Auger复合分析

更新时间：2025-12-08

- 双异质结激光器的Auger复合分析
- The Auger Compound Analysis of DH Laser
- 电子学报 1995年第8期
- 作者机构：
  
  1. 首都师范大学物理系
  2. 中国科学院半导体所
  3. 首都师范大学物理系中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]夏瑞东,常悦,庄蔚华.双异质结激光器的Auger复合分析[J].电子学报,1995(08):112-115.

夏瑞东, 常悦, 庄蔚华. The Auger Compound Analysis of DH Laser[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8).
[1]夏瑞东,常悦,庄蔚华.双异质结激光器的Auger复合分析[J].电子学报,1995(08):112-115. DOI：

夏瑞东, 常悦, 庄蔚华. The Auger Compound Analysis of DH Laser[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (8). DOI：

摘要

本文通过对１．５５μｍ双异质结激光器中０．９５μｍ的高能发光峰的分析，证明了ＩｎＧａＡｓＰ有源区的Ａｕｇｅｒ复合是造成载流子向两侧ＩｎＰ限制层漏泄的主要原因，也是影响激光器Ｔ０值的主要因素。

Abstract

The experiment data about 0.95μm wavelength high energy lumionous peak in 1.55μm InGaAsp/InP laser are analyzed.The results prove that the Auger compound of InGaAsP active region is the major cause of carrier leakage toward the two sides of InP restricted layer.It is also the main factor of the low T0 of1.55μm InGaAsp/InP DH Laser.

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