改善微波功率管小电流特性的模拟分析

林绪伦; 朱恩均

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

改善微波功率管小电流特性的模拟分析

更新时间：2025-12-08

- 改善微波功率管小电流特性的模拟分析
- A Simulation Study for Improving Low Current Characteristics in Microwave Power Transistors
- 电子学报 1995年第5期
- 作者机构：
  
  北京大学微电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN323.4
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]林绪伦,朱恩均.改善微波功率管小电流特性的模拟分析[J].电子学报,1995(05):36-39.

Lin Xulun. A Simulation Study for Improving Low Current Characteristics in Microwave Power Transistors[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (5).
[1]林绪伦,朱恩均.改善微波功率管小电流特性的模拟分析[J].电子学报,1995(05):36-39. DOI：

Lin Xulun. A Simulation Study for Improving Low Current Characteristics in Microwave Power Transistors[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (5). DOI：

摘要

对于新型Ｎ￣＋ＩＰ发射结结构的微波功率管，采用一维数值模拟，分区计算了它的渡越时间，结果表明其截止频率的小电流特性可以获得明显的改善。

Abstract

The transit times in the silicon microwave power transistors with the novel structure of N+IP emitter are regionally calculated by one-dimensional numerical simulation. The results indicate that its low current characteristics of the cut-off frequency f

can be obviously improved.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

指数突触电导IF神经元模型及事件驱动模拟策略

光纤固定软钎焊焊点的三维形态模拟

双瑞利分布的时空二维杂波模拟

改善微波功率管小电流特性的模拟分析

A Simulation Study for Improving Low Current Characteristics in Microwave Power Transistors

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references