新结构的硅一体化微加速度传感器

王跃林; 徐义刚; 陈锋; 胡鑫松

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新结构的硅一体化微加速度传感器

更新时间：2025-12-08

- 新结构的硅一体化微加速度传感器
- A New silicon Unitized Micro-Acceleration Sensors
- 电子学报 1994年第8期
- 作者机构：
  
  浙江大学信电系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点自然科学基金,霍英东青年教师基金
- DOI：
  中图分类号： TP212
- 纸质出版：1994
- 稿件说明：
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[1]王跃林,徐义刚,陈锋,胡鑫松.新结构的硅一体化微加速度传感器[J].电子学报,1994(08):36-40.

王跃林, 徐义刚, 陈锋, et al. A New silicon Unitized Micro-Acceleration Sensors[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (8).
[1]王跃林,徐义刚,陈锋,胡鑫松.新结构的硅一体化微加速度传感器[J].电子学报,1994(08):36-40. DOI：

王跃林, 徐义刚, 陈锋, et al. A New silicon Unitized Micro-Acceleration Sensors[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (8). DOI：

摘要

本文介绍了一种新结构的硅一体化微加速度传感器，理论和实验结果表明，这种传感器与传统硅微机械结构加速度传感器相比具有温度特性好、工艺简单和成品率高等优点。这种结构特别适合制作谐振传感器。

Abstract

A new silicon unitized micro-acceleration sensor is presented in this paper. Both analysis and experiment show that it has many advantages over the conventional structure

such as good temperature characteristics

simple process technique

high yield and so on. The structure is most suitable for manufacturing resonant sensors.

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