双管S型负阻器件的研究

魏希文; 王美田; 李建军; 李雪梅; 李凤银; 王化雨; 曹体伦

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双管S型负阻器件的研究

更新时间：2025-12-08

- 双管S型负阻器件的研究
- Study of Duo-Transistor Negative Resistance Device
- 电子学报 1995年第2期
- 作者机构：
  
  1. 大连理工大学半导体研究室
  2. 辽宁朝阳无线电元件厂
  3. 大连理工大学半导体研究室辽宁朝阳无线电元件厂
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号： TN389
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]魏希文,王美田,李建军,李雪梅,李凤银,王化雨,曹体伦.双管S型负阻器件的研究[J].电子学报,1995(02):74-77.

魏希文, 王美田, 李建军, et al. Study of Duo-Transistor Negative Resistance Device[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2).
[1]魏希文,王美田,李建军,李雪梅,李凤银,王化雨,曹体伦.双管S型负阻器件的研究[J].电子学报,1995(02):74-77. DOI：

魏希文, 王美田, 李建军, et al. Study of Duo-Transistor Negative Resistance Device[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2). DOI：

摘要

模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有Ｓ型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端Ｓ型负阻器件（ＴＢＮＲＤ器件）．本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。

Abstract

The experimental results of analogue circuit show that type-S negative resistance can be obtained by using two like polarity transistors with various circuit connections.Based on this

a Two-terminal Bidirectional Negative Resistance Device（TBNRD） is fabricated and the theory of the negative resistance is studied.

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