激光控制的半导体加载波导开关研究

李新碗; 徐得名; 吴克勤; 宋烈浦; 吴祥应

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激光控制的半导体加载波导开关研究

更新时间：2025-12-08

- 激光控制的半导体加载波导开关研究
- The Study of Laser Controlled Semiconductor Loaded Waveguide Switch
- 电子学报 1994年第8期
- 作者机构：
  
  1. 上海交通大学光纤技术研究所
  2. 上海科学技术大学
  3. 上海交通大学光纤技术研究所上海科学技术大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN631.2
- 纸质出版：1994
- 稿件说明：
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[1]李新碗,徐得名,吴克勤,宋烈浦,吴祥应.激光控制的半导体加载波导开关研究[J].电子学报,1994(08):73-76.

Li Xinwan. The Study of Laser Controlled Semiconductor Loaded Waveguide Switch[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (8).
[1]李新碗,徐得名,吴克勤,宋烈浦,吴祥应.激光控制的半导体加载波导开关研究[J].电子学报,1994(08):73-76. DOI：

Li Xinwan. The Study of Laser Controlled Semiconductor Loaded Waveguide Switch[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (8). DOI：

摘要

本文提出了一种新型毫米波波导开关──激光控制的半导体加载波导开关。这种开关具有插入损耗小（８ｍｍ全波段均小于０．５ｄＢ）、开关动态范围大（达４０ｄＢ以上）、单模带宽宽、响应速度快（约０．０５μｓ）等优点，同时，还提出了＂有耗介质盘＂的概念，从理论上对这种开关特性进行了分析，理论与实验吻合较好。预计，这种结构在高功率系统中有潜在的应用前景。

Abstract

In this paper

a kind of laser-controlled semiconductor-loaded E-plane waveguide switch has been presented. The on/off ratios and insertion losses are given under laser illumination.The on/off ratio reaches 38. 5dB

the front fringe time of the switch is about 0.05ms

and the insertion loss is only 0. 16 dB at frequency 37.1GHz. One simple method to analyze its behaviors

which is in good agreement with the experimental results

has been introduced. It shows that such switch can be applied in high power millimeter-wave system.

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