一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管

焦丽虹; 孟志国; 孙钟林

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一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管

更新时间：2025-12-08

- 一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管
- A Novel structure for a-SiN∶H/a-Si∶H Multilayer Avalanche Photodiodes
- 电子学报 1994年第2期
- 作者机构：
  
  1. 天津摩托罗拉（中国）电子有限公司
  2. 天津南开大学光电器件与技术所
  3. 天津摩托罗拉（中国）电子有限公司天津南开大学光电器件与技术所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家教委博士点专项基金
- DOI：
  中图分类号： TN364
- 纸质出版：1994
- 稿件说明：
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[1]焦丽虹,孟志国,孙钟林.一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管[J].电子学报,1994(02):15-21.

Jiao Lihong. A Novel structure for a-SiN∶H/a-Si∶H Multilayer Avalanche Photodiodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (2).
[1]焦丽虹,孟志国,孙钟林.一种新型结构的a－SiN∶H／a－Si∶H多层雪崩光电二极管[J].电子学报,1994(02):15-21. DOI：

Jiao Lihong. A Novel structure for a-SiN∶H/a-Si∶H Multilayer Avalanche Photodiodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (2). DOI：

摘要

本文提出一种新结构的多层膜异质结雪崩光电二极管（ＡＰＤ）──穿通沟道型（ＲｅａｃｈＴｈｒｏｕｇｈＶａｌｌｅｙ），对标志其性能的两个重要参数──倍增因子Ｍ和额外噪声因子Ｆ

ｅ

做了定性分析，从理论上推导出Ｍ和Ｆ

ｅ

的定量表达式，并详细讨论了此种结构中载流子输运的微观机制。通过对实验室制备的穿通沟道型ＡＰＤ的测试及对测试结果的分析，提出一种新模型──隧穿模型，由实验曲线计算Ｍ，当Ｖ

Ｒ

＝－１３Ｖ时，Ｍ

ｅ

＝５．８，额外噪声因子Ｆ

ｅ

＝１．４８。

Abstract

In this paper

we propose a novel structure for a-SiN:H/a-Si:H multilayer photodiode──reach-through-valley APD

analyze two important parameters multiplication factor M and excess noise factor Fe which mark APD’S characteristics

give the quantized formulas for M and F

theoretically

and discuss in detail the micromechanism of the carrier transport in this structure.The reach-through-valley APD was fabricated successfully in our Lab. By measuring and analyzing

we propose a new model──tunnelling to calculate M and F

experimentally which are 5.8 and 1.48 respectively.when V

=-13V.

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