单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式

阙端麟; 陈修治; 徐冬良

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单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式

更新时间：2025-12-08

- 单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式
- A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals
- 电子学报 1995年第2期
- 作者机构：
  
  1. 浙江大学硅材料国家重点实验室
  2. 峨嵋半导体材料研究所
  3. 浙江大学硅材料国家重点实验室峨嵋半导体材料研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304.12
- 纸质出版：1995
- 稿件说明：
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[1]阙端麟,陈修治,徐冬良.单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式[J].电子学报,1995(02):71-73.

阙端麟, 陈修治, 徐冬良. A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2).
[1]阙端麟,陈修治,徐冬良.单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式[J].电子学报,1995(02):71-73. DOI：

阙端麟, 陈修治, 徐冬良. A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals[J]. Acta Electronica Sinica, 1995, (2). DOI：

摘要

本文在数值分析和实验数据的基础上，提出了用单色光高频光电导衰减法测量硅单晶少子寿命的表面复合修正公式。

Abstract

Based on both numerial analysis and experimental data

a surface correction formula for minority lifetime measurement of silicon crystals is proposed using high frequency photoconductive decay stimulated by monochomatic light.

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单色光光电导衰减法测试硅单晶少子寿命的表面复合修正公式

A Surface Correction Formula for Minority Lifetime Measurement of Silicon Crystals

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