高压MZ-JTE终端边界元数值模拟

梁苏军; 罗晋生

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高压MZ-JTE终端边界元数值模拟

更新时间：2025-12-08

- 高压MZ-JTE终端边界元数值模拟
- BEM Numerical Simulation of High Voltage MZ-JTE
- 电子学报 1993年第11期页码：51-56
- 作者机构：
  
  1. 西安交通大学电子工程系
  2. 西安交通大学电子工程系西安 710049
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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[1]梁苏军,罗晋生.高压MZ-JTE终端边界元数值模拟[J].电子学报,1993(11):51-56.

Liang Sujun, Luo Jinsheng. BEM Numerical Simulation of High Voltage MZ-JTE[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (11): 51-56.
[1]梁苏军,罗晋生.高压MZ-JTE终端边界元数值模拟[J].电子学报,1993(11):51-56. DOI：

Liang Sujun, Luo Jinsheng. BEM Numerical Simulation of High Voltage MZ-JTE[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (11): 51-56. DOI：

摘要

本文采用边界元数值方法

编制了统一的多区结终端扩展（Multiple-Zone Junction Termination Extension

MZ-JTE）边界元程序

模拟高压MZ-JTE终端电场、电位分布

以平面结算例验证了边界元数值解精度及可靠性

定量模拟了界面态影响

取得了与国外用差分或有限元得到的结论相一致的结果。边界元方法的提出与算法、程序的成功开发

为MZ-JTE结构及其它终端结构的深入研究与分析

为最终解决复杂（合）终端结构的最佳设计开辟了一条新路。

Abstract

A novel unified 2-D program with the boundary element method（BEM） for MZ-JTE is developed.The distributions of electric field and potential and the effect of-surface charge on high-voltage MZ-JTE are simulated.The BEM results are in agreement with ones obtained by the finite difference method （FDM） and the finite element method （FEM）.The presentation of BEM and the successful development of the program have opened a new way for analyses and designs of junction terminations.

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