钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究

卢励吾; 周洁; 武国英

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钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究

更新时间：2025-12-08

- 钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究
- Deep Levels in Silicon as a Result of Ti Sputtering and TiSi₂ Formation
- 电子学报 1993年第8期页码：23-27
- 作者机构：
  
  1.   半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所
  2.   北京大学微电子学研究所北京100083
  3.   北京100871
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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[1]卢励吾,周洁,武国英.钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究[J].电子学报,1993(08):23-27.

Lu Liwu, Zhou Jie. Deep Levels in Silicon as a Result of Ti Sputtering and TiSi₂ Formation[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (8): 23-27.
[1]卢励吾,周洁,武国英.钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究[J].电子学报,1993(08):23-27. DOI：

Lu Liwu, Zhou Jie. Deep Levels in Silicon as a Result of Ti Sputtering and TiSi₂ Formation[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (8): 23-27. DOI：

摘要

利用DLTS技术详细研究经钛溅射和RTA950℃处理在n型和p型硅里引进的深能级.结果表明在n型硅里有二个

在p型硅里有三个深能级生成.这些能级的浓度在10

—10

-3

之间.它们的产生可归因于替位钛原子

钛与RTA相互作用的络合物.

Abstract

Deep levels in n-type and p-type Si

due to Ti-sputtering and RTA （Rapid Thermal Annealing） at 950℃ .are investigated by using DLTS （Deep Level Transient Spectroscopy） technique. It is found that Ti-related defect levels at （Ec - 0. 09eV）

（Ec - 0.26eV）

（Ev + 0. 29eV）

（Ev + 0. 41eV） and （Ev + 0. 53eV） are produced. The concentrations of these defects range from 1013 to 1014 cm-3

depending on the temperature of RTA. These defect levels may be attributed to substitutional Ti atoms

interaction of Ti with RTA.

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