半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取

任新根; 徐国萍; 董天临

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取

更新时间：2025-12-08

- 半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取
- Parameter Extraction of Large Signal Circuit Model of Semiconductor Laser
- 电子学报 1994年第2期
- 作者机构：
  
  武昌华中理工大学电子与信息工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN248.4
- 纸质出版：1994
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]任新根,徐国萍,董天临.半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取[J].电子学报,1994(02):27-34.

任新根, 徐国萍, 董天临. Parameter Extraction of Large Signal Circuit Model of Semiconductor Laser[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (2).
[1]任新根,徐国萍,董天临.半导体激光器大信号等效电路模型的参数提取[J].电子学报,1994(02):27-34. DOI：

任新根, 徐国萍, 董天临. Parameter Extraction of Large Signal Circuit Model of Semiconductor Laser[J]. Acta Electronica Sinica, 1994, (2). DOI：

摘要

本文提出了一种由半导体激光器（ＬＤ）的外特性，如端口电特性和小信号频率响应，确定其大信号等效电路模型参数的新方法。并对一个ＩｎＧａＡｓＰ脊形波导ＬＤ和一个隐埋异质结ＬＤ进行了参数提取。这种方法，不需要了解ＬＤ的内部特性，分析的结果与已报道的理论、实验值一致。

Abstract

A new method which extracts parameters of large signal circuit model for laser Diode（LD） from its external performances

such as terminal electrical Characteristics and small signal frequency response

is presented and used in an InGaAsP ridge waveguild LD and a buried heterostructure laser in this paper.No knowledge of internal data of LD is needed and the results are shown to be consistent with reported theoretical and experimental data.

关键词

Keywords

references

浏览量

326

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

基于光注入半导体激光器的雷达通信一体化研究

锗硅异质结双极型晶体管RF雪崩效应Mextram模型研究

室内毫米波3D-MIMO无线信道参数提取与多径簇特性研究

高频硅基光电晶体管SPICE模型的建立及关键参数的提取

一种新的HBT小信号模型参数优化提取法