宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

柯导明; 童勤义

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宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

更新时间：2025-12-08

- 宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性
- Electrical Characteristics of Silicon Integration MOSFET at Wide Operation Temperature Range and Very High Temperatures
- 电子学报 1993年第2期页码：6-13
- 作者机构：
  
  1. 东南大学微电子中心
  2. 东南大学微电子中心南京 210018
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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[1]柯导明,童勤义.宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性[J].电子学报,1993(02):6-13.

Ke Daoming, Tong Qinyi. Electrical Characteristics of Silicon Integration MOSFET at Wide Operation Temperature Range and Very High Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (2): 6-13.
[1]柯导明,童勤义.宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性[J].电子学报,1993(02):6-13. DOI：

Ke Daoming, Tong Qinyi. Electrical Characteristics of Silicon Integration MOSFET at Wide Operation Temperature Range and Very High Temperatures[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (2): 6-13. DOI：

摘要

本文简化了MOSFET伏安特性的精确公式

得到了一个能反映27℃～300℃硅集成MOSFET=级温度效应的简单方程。并用该方程修正和完善了宽温区

耐高温MOSFET的ZTC模型。把原有公式在饱和区误差从29％以上

减小到8％以下。理论分析和实验结果都说明了本文的结论是正确的。

Abstract

A simplifing equation

which can give sencond order temperature effects of silicon integration MOSFET from 27 to 300℃

has been presented by this paper. It is used to improve the ZTC model of MOSFET which works at wide operation temperature range and very high temperatures. The data indicates that the error of theoretical and experimentical values in saturation region has been reduced from more of 29% to less of 8%.The theoretical analysis and experimentical results have shown that the conclusion is correct.

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