硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展

更新时间：2025-12-08

- 硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展
- Research Progress on SiGe-Base HBT
- 电子学报 1993年第8期页码：67-73
- 作者机构：
  
  复旦大学微电子学研究所,上海,200433
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]阮刚.硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展[J].电子学报,1993(08):67-73+54.

Ruan Gang. Research Progress on SiGe-Base HBT[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (8): 67-73.
[1]阮刚.硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展[J].电子学报,1993(08):67-73+54. DOI：

Ruan Gang. Research Progress on SiGe-Base HBT[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (8): 67-73. DOI：

本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展

提出了若干重要的研究课题.

In this paper

the recent research progress on process and performances of SiGe-HBT are reviewed as well as some significant research projects are suggested.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

对二维Graphene/VS₂/BN范德华多层异质结构作为LIBs的阳极材料的相关研究

α-SiC/α-Si PIN异质结集成型全色色敏元件的研究

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展