瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

阎宝杰; 石立峰; 耿新华; 孙仲林; 徐温元

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瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

更新时间：2025-12-08

- 瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累
- Study of Electron Accumulation in a-Si:H/a-SiN:H Interface by Using Transient Charge Collection
- 电子学报 1993年第2期页码：93-96
- 作者机构：
  
  1. 南开大学电子系
  2. 南开大学电子系天津 300071
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  博士基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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[1]阎宝杰,石立峰,耿新华,孙仲林,徐温元.瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累[J].电子学报,1993(02):93-96.

Yan Baojie, Shi Lifeng, Geng Xinhua, et al. Study of Electron Accumulation in a-Si:H/a-SiN:H Interface by Using Transient Charge Collection[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (2): 93-96.
[1]阎宝杰,石立峰,耿新华,孙仲林,徐温元.瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累[J].电子学报,1993(02):93-96. DOI：

Yan Baojie, Shi Lifeng, Geng Xinhua, et al. Study of Electron Accumulation in a-Si:H/a-SiN:H Interface by Using Transient Charge Collection[J]. Acta Electronica Sinica, 1993, (2): 93-96. DOI：

摘要

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法

所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/（n+）a-Si:H/AI.测试表明

a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层

其电子面密度为3.2×10

/cm

并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。

Abstract

To understand better the properties of the interface layer of a-SiN:H and a-Si:H

we proposed a new measurement technique to probe the electron accumulation process caused by a step applied voltage. The samples with the structure of Cr/ a-SiN:H （3500A） /a-Si:H （2. 1μm）/n+ a-Si:H （500A）/A1 were used. The experimental results show that the a-SiN:H and a-Si:H contact forms an electron accumulation layer with electron density of about 3.2×1011cm-2. The density of accumulated electrons increases linearly with applied voltage

which agrees very well with theoretical calculation both in the shape of induced charge versus applied voltage curve and the magnitude of induced charge.

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