适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS

徐晨曦; 阮刚

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适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS

更新时间：2025-12-08

- 适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS
- The Multi-Function 2D Ion Implantation Simulator-FUTIS for VLSI Processes
- 电子学报 1990年第6期页码：14-19
- 作者机构：
  
  1. 复旦大学微电子学研究所
  2. 复旦大学微电子学研究所上海
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61701067;61702065)
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
- 稿件说明：
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[1]徐晨曦,阮刚.适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS[J].电子学报,1990(06):14-19.

Xu Chenxi, Ruan Gang. The Multi-Function 2D Ion Implantation Simulator-FUTIS for VLSI Processes[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 14-19.
[1]徐晨曦,阮刚.适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS[J].电子学报,1990(06):14-19. DOI：

Xu Chenxi, Ruan Gang. The Multi-Function 2D Ion Implantation Simulator-FUTIS for VLSI Processes[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 14-19. DOI：

摘要

本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较

表明FUTIS在精度上有明显改进

在功能上有很大扩展

是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。

Abstract

The improved 2D ion implantation model

annealing model and oxygen ion implantation model are presented. On the basis of dealing with multi-layer mask

various mask materials and numerious mask edges

a multi-function 2D ion implantation simulator-FUTIS has been developed for VLSI processes. As compared with other process models

simulators and experiments

it is shown that the accuracy of FUTIS has been obviously improved and the function has been considerably extended. FUTIS is an advanced ion inplantation simulator which can fit for the development of the current VLSI processes.

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