一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

陈大同; 李志坚

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一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型

更新时间：2025-12-08

- 一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型
- A New Analytical Model of Threshold Voltage for Ion Implanted Short Channel MOSFET
- 电子学报 1990年第6期页码：9-13
- 作者机构：
  
  清华大学微电子所
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  霍英东教育基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
- 稿件说明：
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[1]陈大同,李志坚.一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J].电子学报,1990(06):9-13.

Chen Daitong, Li Zhijian. A New Analytical Model of Threshold Voltage for Ion Implanted Short Channel MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 9-13.
[1]陈大同,李志坚.一种新的有沟道注入的短沟MOSFET的阈电压解析模型[J].电子学报,1990(06):9-13. DOI：

Chen Daitong, Li Zhijian. A New Analytical Model of Threshold Voltage for Ion Implanted Short Channel MOSFET[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 9-13. DOI：

摘要

本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。用此模型对各种不同条件下的微米、亚微米MOSFET的阈电压进行了计算

其结果与二维数值分析程序得到的结果相符甚好。本模型可用于电路分析程序

工艺容错分析及器件的优化设计。

Abstract

A quasi-two dimentional analytical model of threshold voltage for non-uniform doped short channel MOSFET is presented in this paper. The threshold voltages of MOSFETs with micron and submicron channel length under different conditions are calculated by this model. The results are in good agreement with those obtained by the 2D numerical analysis program. This model is suitable for the circuit analysis program

process tolerant analysis and device design optimization.

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