高速BiCMOS技术

赵巍; 杨肇敏; 徐葭生

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高速BiCMOS技术

更新时间：2025-12-08

- 高速BiCMOS技术
- High Speed BiCMOS Technology
- 电子学报 1990年第6期页码：99-102
- 作者机构：
  
  1. 清华大学微电子学研究所
  2. 清华大学微电子学研究所北京
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
- 稿件说明：
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[1]赵巍,杨肇敏,徐葭生.高速BiCMOS技术[J].电子学报,1990(06):99-102.

Zhao Wei, Yang Zhaomin, Xu Jiasheng. High Speed BiCMOS Technology[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 99-102.
[1]赵巍,杨肇敏,徐葭生.高速BiCMOS技术[J].电子学报,1990(06):99-102. DOI：

Zhao Wei, Yang Zhaomin, Xu Jiasheng. High Speed BiCMOS Technology[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (6): 99-102. DOI：

摘要

本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构

应用2μm设计规则

成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下

BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。

Abstract

A high speed BiCMOS technology for integrated system is described. NPN and CMOS devices have been fabricated on the same chip with a buried twin well and epitaxy structure

using 2μm design rule. Satisfactory characteristics of single device have been achieved. Under heavily loading condition the speed of BiCMOS inverter is much faster than that of ordinary CMOS inverter.

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