掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究

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掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究

更新时间：2025-12-08

- 掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究
- Studies of Amorphous Silicon Films Doped with Transition Metal Co
- 电子学报 1991年第5期页码：111-113
- 作者机构：
  
  兰州大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1991
- 稿件说明：
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[1]陈光华,张津燕,甘润今,张仿清.掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J].电子学报,1991(05):111-113.

Chen Guanghua, Zhang Jinyan, Gan Runjin, et al. Studies of Amorphous Silicon Films Doped with Transition Metal Co[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (5): 111-113.
[1]陈光华,张津燕,甘润今,张仿清.掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究[J].电子学报,1991(05):111-113. DOI：

Chen Guanghua, Zhang Jinyan, Gan Runjin, et al. Studies of Amorphous Silicon Films Doped with Transition Metal Co[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (5): 111-113. DOI：

本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜

用电导率与温度的依赖关系

ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特性

杂质对缺陷态的补偿和掺杂机理进行了研究。测量结果表明

Co杂质能级的中心位置在价带E

以上0.13eV.在480K

290K的温度范围内

电导率由两种导电机制组成:在480K

330K

是以价带扩展态中的空穴导电为主

在330K

290K

是以Co杂质能级的跳跃导电为主。

Amorphous silicon films doped with transition metal Co were prepared by electron beam evaporation. The electrical and optical properties

the impurity effect on the defects in the films and the doping mechanism are studied using temperature dependence of conductivity

ESR technique and ultraviolet absorption. The impurity level lies about 0.13 eV above valence band EV At 480<T<290K

an analysis of conductivity data allows to reveal two conduction mechanisms: 1) at 480<T<330K

σ is due to conduction of holes in valence band. 2) at 330<T<290K

it is due to hoping conduction through an impurity band.

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