硅的钴溅射引进深能级的研究

卢励吾; G.Groeseneken; K.Maex

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硅的钴溅射引进深能级的研究

更新时间：2025-12-08

- 硅的钴溅射引进深能级的研究
- Deep Levels in Silicon as a Result of Co-Sputtering
- 电子学报 1991年第1期页码：113-116
- 作者机构：
  
  1.   中国科学院半导体研究所
  2.   IMEC
  3.   Leuven
  4.   Belgium
  5.   Belgium 北京
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1991
- 稿件说明：
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[1]卢励吾,G.Groeseneken,K.Maex.硅的钴溅射引进深能级的研究[J].电子学报,1991(01):113-116.

Lu Liwu. Deep Levels in Silicon as a Result of Co-Sputtering[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (1): 113-116.
[1]卢励吾,G.Groeseneken,K.Maex.硅的钴溅射引进深能级的研究[J].电子学报,1991(01):113-116. DOI：

Lu Liwu. Deep Levels in Silicon as a Result of Co-Sputtering[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (1): 113-116. DOI：

摘要

利用DLTS技术详细研究了经钴溅射并在不同温度下的RTA在n型和p型硅里引进的深能级。结果表明在n型硅里有五个深能级生成

这些能级的浓度较低

分布在2×10

—1×10

-3

范围内。它们可归因于替位的钴原子

钴与RTA的互作用或钴与缺陷的络合物。

Abstract

Deep levels in n-type and p-type Si

due to Co-sputtering and RTA （Rapid Thermal Annealing） at various temperatures is investigated by using DLTS （Deep Level Transient Spectroscopy） technique. It is found that Co-related defect levels at （Ec-0 20eV）

（Ec-0.36eV）

（Ec-0.40eV） and（Ec-0.45eV） are produced only for n-type material. The concentration of these defects is rather small and ranges between 2×1010 and 1×1011cm-3. These defect levels can be attributed to substitutional Co atoms

interaction of Co with RTA and Co-defect complexes.

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