应用于硅化物自对准技术的CoSi<sub>2</sub>薄膜特性及形貌研究

陶江; 武国英; 张国炳; 孙玉秀; 王阳元; 都安彦

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应用于硅化物自对准技术的CoSi₂薄膜特性及形貌研究

更新时间：2025-12-08

- 应用于硅化物自对准技术的CoSi₂薄膜特性及形貌研究
- The Characterictics and Morphologies of CoSi₂ in Self-Aligned Technique
- 电子学报 1991年第4期页码：110-112
- 作者机构：
  
  1. 北京大学微电子学研究所
  2. 北京市透射电子显微镜实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1991
- 稿件说明：
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[1]陶江,武国英,张国炳,孙玉秀,王阳元,都安彦.应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究[J].电子学报,1991(04):110-112.

Tao Jiang, Wu Guoying, Zhang Guobing, et al. The Characterictics and Morphologies of CoSi₂ in Self-Aligned Technique[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (4): 110-112.
[1]陶江,武国英,张国炳,孙玉秀,王阳元,都安彦.应用于硅化物自对准技术的CoSi_2薄膜特性及形貌研究[J].电子学报,1991(04):110-112. DOI：

Tao Jiang, Wu Guoying, Zhang Guobing, et al. The Characterictics and Morphologies of CoSi₂ in Self-Aligned Technique[J]. Acta Electronica Sinica, 1991, (4): 110-112. DOI：

摘要

本文应用炉退火和快速退火（RTA）两种方法

使Co和Si热反应制备界面较平整、电阻率低（～16μΩ·cm）的CoSi

薄膜。采用XRD、AES、TEM（横截面）、SEM、四探针等分析测试手段

详细研究了Co和Si、SiO

之间的反应

CoSi

薄膜的电学特性及CoSi

/Si

CoSi

SiO

界面形貌。结果表明

CoSi

是除TiSi

外另一个可用于MOS自对准技术的硅化物。

Abstract

In this Paper

Thermally reactive CoSi2 films with smooth interface and low resistivity by FA and RTA were introduced. The XRD

AES

TEM （cross-section）

SEM and Four-point probe tecniques were used to analyze the reactions between Co and Si as well as Co and SiO2

electroconduc-tivity of CoSi2 films

interface morphologies of CoSi2/Si and CoSi2/SiO2 structures. The results show that CoSi2 can be applied to self-aligned technology like TiSi2.

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The Characterictics and Morphologies of CoSi2 in Self-Aligned Technique

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