高T<sub>c</sub>氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究

汤祖惇; 蒋建飞

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高T_c氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究

更新时间：2025-12-08

- 高T_c氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究
- Experimental Studies of Current Injection Three-Terminal Device of Type B Made by High T_c Oxide Superconductor
- 电子学报 1990年第5期页码：124-126
- 作者机构：
  
  上海交通大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
- 稿件说明：
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[1]汤祖惇,蒋建飞.高T_c氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究[J].电子学报,1990(05):124-126.

Tang Zudun, Jiang Jianfei. Experimental Studies of Current Injection Three-Terminal Device of Type B Made by High T_c Oxide Superconductor[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (5): 124-126.
[1]汤祖惇,蒋建飞.高T_c氧化物颗粒超导体的B型电流注入型三端器件实验研究[J].电子学报,1990(05):124-126. DOI：

Tang Zudun, Jiang Jianfei. Experimental Studies of Current Injection Three-Terminal Device of Type B Made by High T_c Oxide Superconductor[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (5): 124-126. DOI：

摘要

本文用实验方法研究了B型高T

氧化物颗拉超导体电流注入三端器件（B-HOGSCITTD）及其颈缩型（NB-HOGSCITTD）的特性

预示了以此构成开关器件和放大器件的可能性。实验表明

B-HOGSCITTD和NB-HOGSCITTD具有类似特性

进一步说明该氧化物超导体的颗粒性和弱连接网络性。

Abstract

Two types of High Tc Oxide Granular Superconductor Current Injection Three-Terminal Device （HOGSCITTD） have been made and their characteristics have been studied in our experiments. The results show the possibility of forming the switching and amplifying devices with these types of device. The experiments also show the granularity and the weak-links in the high Tc Oxide superconductor.

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