外腔半导体激光器频谱特性研究

惠荣庆; 陶尚平

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

外腔半导体激光器频谱特性研究

更新时间：2025-12-08

- 外腔半导体激光器频谱特性研究
- Analysis on The Spectral Properties of External Cavity Semiconductor Lasers
- 电子学报 1989年第3期页码：7-13
- 作者机构：
  
  北京邮电学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1989
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]惠荣庆,陶尚平.外腔半导体激光器频谱特性研究[J].电子学报,1989(03):7-13.

Hui Rong-qing, Tao Shang-qing. Analysis on The Spectral Properties of External Cavity Semiconductor Lasers[J]. Acta Electronica Sinica, 1989, (3): 7-13.
[1]惠荣庆,陶尚平.外腔半导体激光器频谱特性研究[J].电子学报,1989(03):7-13. DOI：

Hui Rong-qing, Tao Shang-qing. Analysis on The Spectral Properties of External Cavity Semiconductor Lasers[J]. Acta Electronica Sinica, 1989, (3): 7-13. DOI：

摘要

本文在外腔半导体激光器的研究中引入了改进的速率方程组

用解析方法导出了稳态振荡条件和谱线宽度表达式

这些表达式适用于具有任意反馈量的外腔半导体激光器。理论分析与实验相符。

Abstract

A set of improved rate equations is introduced to study external-cavity semiconductor lasers

and expressions of steady state oscillation conditions and spectral linewidth are derived analytically

which are suitable for semiconductor lasers with any amount of optical feedback. Theoretical analysis is found to be in agreement with relevant experiment results.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据