(100)硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究

吴宪平

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(100)硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究

更新时间：2025-12-08

- (100)硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究
- A Study on Residue Formed in Anisotropic Etching of （100） Silicon Using EPW
- 电子学报 1990年第1期页码：98-103
- 作者机构：
  
  复旦大学电子工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1990
- 稿件说明：
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[1]吴宪平.(100)硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究[J].电子学报,1990(01):98-103.

Wu Xian-ping. A Study on Residue Formed in Anisotropic Etching of （100） Silicon Using EPW[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (1): 98-103.
[1]吴宪平.(100)硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究[J].电子学报,1990(01):98-103. DOI：

Wu Xian-ping. A Study on Residue Formed in Anisotropic Etching of （100） Silicon Using EPW[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (1): 98-103. DOI：

摘要

本文首次分析了（100）硅在乙二胺——邻苯二酚水溶液（EPW）中进行各向异性腐蚀时所可能出现的白色残留物的化学组份。该残留物的生成条件取决于正常反应物在一定组份的EPW中的溶解度;邻苯二酚的含量对此溶解度有明显影响。文中讨论了预防残留物出现以获得近于镜面的（100）硅腐蚀面的各种措施。

Abstract

The composition of the residue that may appear on etched surface of （100）orientated silicon using Ethylenediamine-Pyrocatechol-Water（EPW）solution has been determined. It has been found by experiments that the residue formation is dependent on the solubility of the normal reaction product in a certain composition of EPW solution. The pyrocatechol content of EPW solution affects the solubility obviously. The condition for residue formation is dete-mined. Potential methods for preventing residue and forming etched silicon surface as a mirror shape are explored.

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