GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定

叶禹康

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定

更新时间：2025-12-08

- GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定
- Determination of GaAs Microwave FET Noise Figure and Available Power Gain
- 电子学报 1989年第1期页码：73-78
- 作者机构：
  
  南京电子器件研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1989
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]叶禹康.GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定[J].电子学报,1989(01):73-78.

Ye Yu-Kang. Determination of GaAs Microwave FET Noise Figure and Available Power Gain[J]. Acta Electronica Sinica, 1989, (1): 73-78.
[1]叶禹康.GaAs FET噪声系数和资用功率增益的测定[J].电子学报,1989(01):73-78. DOI：

Ye Yu-Kang. Determination of GaAs Microwave FET Noise Figure and Available Power Gain[J]. Acta Electronica Sinica, 1989, (1): 73-78. DOI：

摘要

本文给出了可同时测量GaAs FET噪声系数和资用功率增益的改进方法

以及对有耗匹配网络设计和损耗的定量分析方法。文中介绍了用多种源阻抗确定最佳噪声参量的方法

实践证明上述技术具有重要的参考意义。

Abstract

In the paper

an improved method for the simultaneous determination of GaAs FET noise figure and available power gain is given a method for the design of loss matching network and quantitative analysis of its loss is also presented. The determination of GaAs FET optimum noise parameters with different source impedances and by means of a computer-aided data processing is introduced. The practice shows that this technique is very useful in the development of low noise GaAs FET.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据