1. 电子科技大学
2. 重庆光电所
纸质出版:1990
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[1]郑能,陆荣鑫,蔡伯荣,曹泽煌.钛扩散铌酸锂1×4集成光开关[J].电子学报,1990(02):119-120.
Zheng Neng, Lu Rong-xin, Cai Bo-rong. Ti: LiNbO3 1×4 Integrated-Optical Switch[J]. Acta Electronica Sinica, 1990, (2): 119-120.
研制成工作波长为1.3μm的
用三个无间距方向耦合器组成的1×4集成光开关。每一路的ON/OFF为12.7dB~16.7dB
开关电压为18V~23V;每一对电极电容量为6pF
理论带宽为1GHz。
A 1*4 optical switch with 3 zero gap directional counplers integrated on a LiNbO3 chip has been fabricated at VVVV = 1.3UUUUn. The ON/OFF ratio
the switch voltage
the electrode capacitance
and the theoretical band width are 12.7dB-16.7dB
18V-23V
6pF and 1GHz respectively.
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