工艺和器件统计模拟程序MICSPADS

许新华; 夏武颖

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工艺和器件统计模拟程序MICSPADS

更新时间：2025-12-08

- 工艺和器件统计模拟程序MICSPADS
- A New Statistical Process and Device Simulator MICSPADS
- 电子学报 1988年第3期页码：115-117
- 作者机构：
  
  中国科学院微电子中心
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1988
- 稿件说明：
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[1]许新华,夏武颖.工艺和器件统计模拟程序MICSPADS[J].电子学报,1988,{4}(03):115-117.

Xiu Xin-hua, Xia Wu-yeng. A New Statistical Process and Device Simulator MICSPADS[J]. Acta Electronica Sinica, 1988, (3): 115-117.
[1]许新华,夏武颖.工艺和器件统计模拟程序MICSPADS[J].电子学报,1988,{4}(03):115-117. DOI：

Xiu Xin-hua, Xia Wu-yeng. A New Statistical Process and Device Simulator MICSPADS[J]. Acta Electronica Sinica, 1988, (3): 115-117. DOI：

摘要

本文介绍了一个新的工艺和器件统计模拟程序MICSPADS

着重介绍了其基本思想、程序结构及特点。用这个模拟程序能求出各种常规工艺下各种典型半导体器件的模型参数的统计分布。计算出的模型参数可直接用于电路分析程序SPICE中。并用此程序分析了MOS场效应管阈值电压与沟道注人剂量的统计关系。

Abstract

A new statistical process and device simulator M1CSPADS is described and the especial emphasis is put on its methodlogy

structure and characteristics. The simulator produces statistical results of model parameters of typical semiconductor devices manufactured in various fabrication processes. The resulting model parameters can be used in the SPICE circuit analysis program directly. An example which uses the simulator to analysis the siatistical relation of threshold voltage of MOSFET to channel implanted dose is presented.

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