短沟道MOSFET准二维分析模型

张庆中

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

短沟道MOSFET准二维分析模型

更新时间：2025-12-08

- 短沟道MOSFET准二维分析模型
- A Quasi-Two-Dimensional Analysis Model for Shrot-Channel MOSFET’s
- 电子学报 1986年第5期页码：49-55
- 作者机构：
  
  成都电讯工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]张庆中.短沟道MOSFET准二维分析模型[J].电子学报,1986(05):49-55.

Zhang Qing-zhong. A Quasi-Two-Dimensional Analysis Model for Shrot-Channel MOSFET’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (5): 49-55.
[1]张庆中.短沟道MOSFET准二维分析模型[J].电子学报,1986(05):49-55. DOI：

Zhang Qing-zhong. A Quasi-Two-Dimensional Analysis Model for Shrot-Channel MOSFET’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (5): 49-55. DOI：

摘要

本文提出了一个新的短沟道MOSFET准二维分析模型。在整个沟道中计入二维效应后

导出了一个包括非饱和区和饱和区的统一方程

消除了通常的两区模型由于将沟道分区所引起的误差。计算同实测结果相吻合。

Abstract

A new quasi-two-dimensional model for short-channel MOSFET’s is presented. Taking into account the two-dimensional effects throughout the channel

a unified equation valid in both the unsaturation and saturation regions is derived

and the problems resulting from dividing the channel into two regions in the conventional two-region models are solved. The calculated results are in excellent agreement with the experimental data.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据