晶体管噪声参数的测定

沈秀英

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晶体管噪声参数的测定

更新时间：2025-12-08

- 晶体管噪声参数的测定
- The Measurement of Transistor Noise Parameters
- 电子学报 1987年第3期页码：114-117
- 作者机构：
  
  华东师范大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
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[1]沈秀英.晶体管噪声参数的测定[J].电子学报,1987(03):114-117.

Shen Xiu-Ying. The Measurement of Transistor Noise Parameters[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (3): 114-117.
[1]沈秀英.晶体管噪声参数的测定[J].电子学报,1987(03):114-117. DOI：

Shen Xiu-Ying. The Measurement of Transistor Noise Parameters[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (3): 114-117. DOI：

摘要

作者提出一种测量场效应和双极型晶体管噪声参数的方法

给出了半自动化F-P测试装置。利用该装置和微机

在1.6GHz频率上能得到最终的噪声参数F

min

、R

、G

以及B

。

Abstract

The measurement approach to noise parameters of FET and bipolar transistor is given and semi-automatic F-P test equipment are introduced in this paper. The final noise parameters Fmin

GOP and Bop can be obtained in 1.6 GHz frequency by means of this equipment and microcomputer.

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