衬底型离子敏感场效应晶体管（ISFET）

钟仕科; 付敏恭; 郭述文

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衬底型离子敏感场效应晶体管（ISFET）

更新时间：2025-12-08

- 衬底型离子敏感场效应晶体管（ISFET）
- Substrate Type Ion Sensitive Field Effect Transistor （ISFET）
- 电子学报 1986年第6期页码：117-119
- 作者机构：
  
  江西大学
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- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
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[1]钟仕科,付敏恭,郭述文.衬底型离子敏感场效应晶体管(ISFET)[J].电子学报,1986(06):117-119.

Zhong Shi-ke Fu Min-gong, Guo Shu-wen. Substrate Type Ion Sensitive Field Effect Transistor （ISFET）[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (6): 117-119.
[1]钟仕科,付敏恭,郭述文.衬底型离子敏感场效应晶体管(ISFET)[J].电子学报,1986(06):117-119. DOI：

Zhong Shi-ke Fu Min-gong, Guo Shu-wen. Substrate Type Ion Sensitive Field Effect Transistor （ISFET）[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (6): 117-119. DOI：

摘要

衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜（Si

、AgCl等）的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时

器件的漏源电流会发生相应变化

本文推导出了这两者变化的关系式

并研制出了密封性较好、性能稳定的衬底型ISFET。

Abstract

The substrate type ISFET is a chemically sensitive device. The sensitive membrane （for example Si3N4 or AgC1 membrane） of the device is deposited on the back of the substrate. The exposure of the active surface to test soluction results in the changeof drain-source current. The expression calculating the drain-source current of the substrate type device is derived. The ISFET is fabricated. The enclosure and stability is improved.

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