透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

更新时间：2025-12-08

- 透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管
- A novel InGaAs Phototransistor by CaO Emitter
- 电子学报 1986年第2期页码：35-39
- 作者机构：
  
  北京电子管厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]苏里曼.透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管[J].电子学报,1986(02):35-39.

Su Li-man. A novel InGaAs Phototransistor by CaO Emitter[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (2): 35-39.
[1]苏里曼.透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管[J].电子学报,1986(02):35-39. DOI：

Su Li-man. A novel InGaAs Phototransistor by CaO Emitter[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (2): 35-39. DOI：

研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10

-1

)禁带宽（E

（Γ）=2.5eV）的氧化镉（CdO）透明膜

形成宽发射区。测试结果表明

该管具有较宽的波长响应（λ=0.5～1.6μm）

共发射极电流增益h

为10(V

=3V

=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h

-I

及暗电流等进行了讨论。

A novel InGaAs phototransistor is proposed. CdO has the properties of high conductivity （σ =5×103Ω-1cm-1） and wide forbidden gap （Eg（г） =2.5eV）

thus it is used as the wide emitter for the transistor. Experimental results show that the transistor has a wide spectral response （λ

=0.5

.6μm）. A current gain h e = 10 （VCE = 3V

Ic=1mA） is obtained. Other results including Ⅰ-Ⅴ characteristic of the emitter junction

hfe-Ic characteristic and dark current behavior are also presented.

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据