分析波导中容性膜片的一种新方法

戎敖生; 李嗣范

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分析波导中容性膜片的一种新方法

更新时间：2025-12-08

- 分析波导中容性膜片的一种新方法
- A New Technique for Analysis of Capacitive Strips in Waveguides
- 电子学报 1987年第6期页码：111-113
- 作者机构：
  
  南京工学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
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[1]戎敖生,李嗣范.分析波导中容性膜片的一种新方法[J].电子学报,1987(06):111-113.

Rong Ao-sheng and Li Si-fan. A New Technique for Analysis of Capacitive Strips in Waveguides[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (6): 111-113.
[1]戎敖生,李嗣范.分析波导中容性膜片的一种新方法[J].电子学报,1987(06):111-113. DOI：

Rong Ao-sheng and Li Si-fan. A New Technique for Analysis of Capacitive Strips in Waveguides[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (6): 111-113. DOI：

摘要

本文给出了分析波导中有限厚度多个容性膜片的一个有效方法:建立等效电路参量与奇偶模输入导纳Yos及Yoc间的关系

把Yos和Yoc与赫兹矢量位联系起来

用直线法计算位函数。数值结果表明本文方法简捷、可靠。

Abstract

An efficient technique for analysis of multiple capacitive strips with finite thickness in waveguides is presented. The relation between equivalent parameters and odd-or even-mode input admittance Yos and Yoc is established. Yos and Yoc are related to Heltz’s vector potential. The potential function is solved by method of lines. As shown by the numerical results

the present method is simple and reliable.

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