BF<sub>2</sub><sup>+</sup>注入Si的快速退火

林成鲁; 林梓鑫; 陈莉芝; 邹世昌

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BF₂⁺注入Si的快速退火

更新时间：2025-12-08

- BF₂⁺注入Si的快速退火
- Rapid Thermal Annealing of BF₂⁺ Implanted Si
- 电子学报 1987年第6期页码：93-95
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
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[1]林成鲁,林梓鑫,陈莉芝,邹世昌.BF_2~+注入Si的快速退火[J].电子学报,1987(06):93-95.

Lin Cheng-lu, Lin Zi-xin, Chen Li-zhi, et al. Rapid Thermal Annealing of BF₂⁺ Implanted Si[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (6): 93-95.
[1]林成鲁,林梓鑫,陈莉芝,邹世昌.BF_2~+注入Si的快速退火[J].电子学报,1987(06):93-95. DOI：

Lin Cheng-lu, Lin Zi-xin, Chen Li-zhi, et al. Rapid Thermal Annealing of BF₂⁺ Implanted Si[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (6): 93-95. DOI：

摘要

利用高频感应的石墨加热器对注BF

的硅片进行快速退火能获得比常规退火更浅的结。对这两种退火所引起的B和F的扩散进行了比较。实验观察到F原子分布的双峰

是注入层再结晶时F原子的外扩散所致。

Abstract

BF2+ implanted Si wafers have been rapid thermally annealed using FR graphite heaterat 1000

200℃ for 6

0s. The experimental results show that rapid thermal annealing can be provided shallower junctions than conventional thermal annealing. The diffusion of B and F dopants resulting from rapid thermal annealing have been compared with furnace annealing. Double peak of F atom depth profiles can be observed. Outdiffusion of F during recrystallization of implanted layer is the mayor cause of the double peak of F.

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Rapid Thermal Annealing of BF2+ Implanted Si

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Rapid Thermal Annealing of BF₂⁺ Implanted Si