微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究

顾世惠

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微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究

更新时间：2025-12-08

- 微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究
- Study of Upper Frequency Limit and Noise Output Power Characteristics for Microwave Solid State Noise Diodes
- 电子学报 1986年第6期页码：73-78
- 作者机构：
  
  南京固体器件研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
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[1]顾世惠.微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究[J].电子学报,1986(06):73-78.

Gu Shi-hui. Study of Upper Frequency Limit and Noise Output Power Characteristics for Microwave Solid State Noise Diodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (6): 73-78.
[1]顾世惠.微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究[J].电子学报,1986(06):73-78. DOI：

Gu Shi-hui. Study of Upper Frequency Limit and Noise Output Power Characteristics for Microwave Solid State Noise Diodes[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (6): 73-78. DOI：

摘要

本文以带有隧道穿透的PN结雪崩倍增理论

研究了微波固体噪声二极管。比较了纯PN结雪崩二极管和带有隧道穿透的PN结雪崩二极管的噪声功率谱密度。讨论了微波固体噪声二极管使用频率的上限和影响噪声输出功率的因素。这对微波固体噪声源的设计、制造和应用提供了有用的依据。

Abstract

The microwave solid state noise diodes are investigated based on the PN junction avalanche multiplication theory with tunneling penetration.The spectral noise power density of pure avalanche diodes is compared with that of avalanche the diodes with tunneling penetration.The upper frequency limit and some factors affecting noise output power of microwave solid state noise diodes are discussed. It is useful to the design

fabrication and application of microwave solid state noise sources.

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