宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计

李浩模; 施雁旸

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宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计

更新时间：2025-12-08

- 宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计
- CAD of Broad-Band GaAs FET Amplifiers
- 电子学报 1986年第5期页码：43-48
- 作者机构：
  
  1. 河北半导体研究所
  2. 中国科学院电子所
  3. 河北半导体研究所中国科学院电子所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
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[1]李浩模,施雁旸.宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计[J].电子学报,1986(05):43-48.

Li Hao-mo. CAD of Broad-Band GaAs FET Amplifiers[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (5): 43-48.
[1]李浩模,施雁旸.宽带GaAs FET放大器的计算机辅助设计[J].电子学报,1986(05):43-48. DOI：

Li Hao-mo. CAD of Broad-Band GaAs FET Amplifiers[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (5): 43-48. DOI：

摘要

本文介绍了一种可用于宽带GaAs FET放大器设计的计算机辅助设计方法。给出了两种宽带GaAsFET放大器的设计与实测结果。4-8GHz放大器

功率增益G

=33±1.5dB

带内噪声系数F

≤3.7dB

8-12GHz放大器

=30±1.5dB

≤6dB。

Abstract

A CAD procedure applicable to broad-band GaAs FET amplifiers is presented.The design and measurement results of two types of broad-band GaAs FET amplifiers are given. For 4-8 GHz amplifiers

power gain Gp =33dB±1.5dB

and noise figure Fn≤3.7dB. For 8-12GHz amplifers

=30dB±1.5dB

and Fn≤6dB.

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