a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究

杨左娅; 陈坤基; 吴汝麟

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a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究

更新时间：2025-12-08

- a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究
- Inverstigation of Electrical and Optical Properties of a-GaAs Films
- 电子学报 1987年第2期页码：108-110
- 作者机构：
  
  南京大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
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[1]杨左娅,陈坤基,吴汝麟.a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究[J].电子学报,1987(02):108-110.

Yang Zuo-ya, Chen Kun-ji, Wu Ru-lin. Inverstigation of Electrical and Optical Properties of a-GaAs Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (2): 108-110.
[1]杨左娅,陈坤基,吴汝麟.a-GaAs薄膜电学及光学性质的研究[J].电子学报,1987(02):108-110. DOI：

Yang Zuo-ya, Chen Kun-ji, Wu Ru-lin. Inverstigation of Electrical and Optical Properties of a-GaAs Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (2): 108-110. DOI：

摘要

本文报导了用PECTD法制备的a-GaAs样品的基本电学和光学性质

未掺杂的a-GaAs薄膜在室温下呈N型

相应的电子漂移迁移率为10

-2

～10

-3

/V.s。讨论了a-GaAs薄膜材料组分配比的变化对其电学性质的影响及薄膜的热退火特性。

Abstract

Systematic studies on physical properties of a-GaAs films prepared by PECTD （Plasma Enhanced Chemical Transport Deposition） method are carried out. In the room temperature the undoped a-GaAs films appear as N-type

and its electron drift mobility is 10-2

0-3cm2/V. s. It is found that an excess of Ga element and the existance of C1 atoms in the a-Ga As films will change its physical properties. Theoretical models are suggested to explain the above phenomena.

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