关于高压功率晶体管的饱和压降

宋南辛

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关于高压功率晶体管的饱和压降

更新时间：2025-12-08

- 关于高压功率晶体管的饱和压降
- On the Saturation Voltage of High-Voltage Power Transistors
- 电子学报 1985年第5期页码：78-82
- 作者机构：
  
  浙江大学
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- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1985
- 稿件说明：
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[1]宋南辛.关于高压功率晶体管的饱和压降[J].电子学报,1985(05):78-82.

Sung Nan-sing. On the Saturation Voltage of High-Voltage Power Transistors[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (5): 78-82.
[1]宋南辛.关于高压功率晶体管的饱和压降[J].电子学报,1985(05):78-82. DOI：

Sung Nan-sing. On the Saturation Voltage of High-Voltage Power Transistors[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (5): 78-82. DOI：

摘要

本文讨论了具有轻掺杂集电区的高压功率晶体管的静态饱和特性

导出了一个考虑到集电结大注入效应的饱和压降的分析表达式。

Abstract

The static saturation characteristics of high-voltage power transistors with lightly doped collector region is discussed.An analytical expression of saturation voltage is derived

in which the high level injection effect of collector junction is considered.

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