CMOS集成硅流量传感器

童勤义; 黄金彪

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CMOS集成硅流量传感器

更新时间：2025-12-08

- CMOS集成硅流量传感器
- CMOS Integreted Silicon Flow Sensor
- 电子学报 1987年第1期页码：112-114
- 作者机构：
  
  南京工学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
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[1]童勤义,黄金彪.CMOS集成硅流量传感器[J].电子学报,1987(01):112-114.

Tong Qin-yi, Huang Jin-biao. CMOS Integreted Silicon Flow Sensor[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (1): 112-114.
[1]童勤义,黄金彪.CMOS集成硅流量传感器[J].电子学报,1987(01):112-114. DOI：

Tong Qin-yi, Huang Jin-biao. CMOS Integreted Silicon Flow Sensor[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (1): 112-114. DOI：

摘要

本文介绍了一种流量传感器新的工作原理:当流体流过加热的芯片时

为保持芯片温度恒定所需功耗的改变

可以用来作为流体速度的量度。本文用CMOS工艺首次实现了这种原理的集成流量传感器。该传感器结构简单、尺寸小（1×1.9mm）

灵敏度高（在芯片温度55℃、流体温度30℃、流速50cm/s时

输出达80mW）。

Abstract

A new principle of flow sensors is introduced. When a fluid is passing ever a heated chip

the change of the power dissipation required to keep the chip temperature constant can be used as a measurement of the flow rate. Based on this new principle

an integreted flow sensor has been made by CMOS technology. It has simple structure

small size （1×1.9mm）

high sensitivity（80mV output at flow rate of 50 cm/s with chip temperature 55℃ and fluid temperature 30℃）.

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