InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究

张桂成; 陈瑞璋; 杨林宝

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InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究

更新时间：2025-12-08

- InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究
- Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s
- 电子学报 1985年第4期页码：108-111
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1985
- 稿件说明：
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[1]张桂成,陈瑞璋,杨林宝.InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究[J].电子学报,1985(04):108-111.

Zhang Gui-cheng, Chen Rui-zhang, Yang Lin-bao. Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (4): 108-111.
[1]张桂成,陈瑞璋,杨林宝.InGaAsP/InP双异质结发光管I-V特性的研究[J].电子学报,1985(04):108-111. DOI：

Zhang Gui-cheng, Chen Rui-zhang, Yang Lin-bao. Study of I-V Characteristics in InGaAsP/lnP DH LED’s[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (4): 108-111. DOI：

摘要

本文研究了InGaAsP/InP双异质结发光管的I-V特性

特别是有源区受主浓度、p-n结位置、限制层掺杂剂、热沉温度和制备工艺对正向导通电压（V

）、初始发光电压V

和反向击穿电压V

的影响

及其与光功率、光谱特性的关系。并讨论了产生不同I-V特性的原因。

Abstract

I-V characteristics of InGaAsP/InP DH LED’S are investigated

especially the dependence of Vf

V0 and VB on the active layer’s acceptor concentration

the location of the p-n junction

the dopant for the p-InP confining layer

the heat sink temperature and the fabrication techniques

as well as the dependence of I-V characteristics on the light output power and the spectral characteristics. Reasons are explained for the devices having different I-V characteristics.

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