河北半导体研究所1885年度科研成果点滴

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更新时间：2025-12-08

- 河北半导体研究所1885年度科研成果点滴
- 河北半导体研究所1885年度科研成果点滴
- 电子学报 1985年第6期页码：79
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- 纸质出版：1985
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[1].河北半导体研究所1885年度科研成果点滴[J].电子学报,1985(06):79.

河北半导体研究所1885年度科研成果点滴[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (6): 79.
[1].河北半导体研究所1885年度科研成果点滴[J].电子学报,1985(06):79. DOI：

河北半导体研究所1885年度科研成果点滴[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (6): 79. DOI：

<正> 电子工业部河北半导体研究所第15次科研成果鉴定会（1985年）上

有4项成果通过部级鉴定: CX591型GaAs微波低噪声场效应管栅长0.25μm。12GHz下噪声系数小于1.2dB

功率增益9dB;4GHz下噪声系数为0.4dB。

<正> 电子工业部河北半导体研究所第15次科研成果鉴定会（1985年）上

有4项成果通过部级鉴定: CX591型GaAs微波低噪声场效应管栅长0.25μm。12GHz下噪声系数小于1.2dB

功率增益9dB;4GHz下噪声系数为0.4dB。

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