高阻N型硅的欧姆接触

陈存礼; 陈正夫; 陈毅平; 钟信群

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高阻N型硅的欧姆接触

更新时间：2025-12-08

- 高阻N型硅的欧姆接触
- Ohmic Contact On High Resistivity N-Si
- 电子学报 1986年第3期页码：120-122
- 作者机构：
  
  1. 南京大学物理系
  2. 上海电子器材厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986
- 稿件说明：
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[1]陈存礼,陈正夫,陈毅平,钟信群.高阻N型硅的欧姆接触[J].电子学报,1986(03):120-122.

Chen Cun-li. Ohmic Contact On High Resistivity N-Si[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (3): 120-122.
[1]陈存礼,陈正夫,陈毅平,钟信群.高阻N型硅的欧姆接触[J].电子学报,1986(03):120-122. DOI：

Chen Cun-li. Ohmic Contact On High Resistivity N-Si[J]. Acta Electronica Sinica, 1986, (3): 120-122. DOI：

摘要

用银头烙铁直接把InAuSbNi合金（91:7:1:1）涂敷在硅片上

再经450℃的热处理

在高达600Ω·cm的N型硅上都得到了良好的欧姆接触。文中研究了它的接触性能;计算了金属对N型硅接触的接触电阻率和掺杂浓度的关系

并与实验作了比较。本方法已成功地用于杂质补偿度的测量。

Abstract

Using an silver head electric soldering iron

the alloy consisting of In

Sb and Ni in the ratio of 91: 7: 1:1 is directly smeared on the silicon wafer

which is then annealed at 450℃

Good quality ohmic contact is obtained even when the silicon resistivity is as high as 600Ωcm. The specific contact resistivity of metal to N-Si is calculated as a function of doping concentration and compared with experimental results. This contacting technigue is successfully applied to the measurement of impurity compensation.

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