氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究

姜祥祺; 加藤隆男

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氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究

更新时间：2025-12-08

- 氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究
- The Fabrication and Characteristics of Ta₂ N Field Emitters
- 电子学报 1985年第3期页码：50-55
- 作者机构：
  
  1. 复旦大学
  2. 日电爱年华公司
  3. 复旦大学日电爱年华公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1985
- 稿件说明：
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[1]姜祥祺,加藤隆男.氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究[J].电子学报,1985(03):50-55.

Jiang Xiang-qi. The Fabrication and Characteristics of Ta₂ N Field Emitters[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (3): 50-55.
[1]姜祥祺,加藤隆男.氮化钽场发射阴极的制作及其特性的研究[J].电子学报,1985(03):50-55. DOI：

Jiang Xiang-qi. The Fabrication and Characteristics of Ta₂ N Field Emitters[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (3): 50-55. DOI：

摘要

采用钽针尖氮化法首次制得了氮化钽场发射阴极。在加速电压为6.8kV

尖端温度为1300℃时

热场发射电流达210μA

相应的亮度可达3×10

A/cm

·str

角电流密度为5×10

μA/str。在真空度为10

-8

托时

能得到较为稳定的发射

30分钟内发射电流的漂移在2.5％以下。典型的场发射图象由中央为暗区

二侧有二叶对称的明区所构成。采用俄歇谱仪对阴极表面进行了组成分析。

Abstract

Tantalum nitride field emitters are fabricated by nitrifying a tantalum tip

which give an electron emission current of 210μA at the tip voltage of 6.8 kV and the temperature of 1300℃. with a brightness of 2×108 A/cm2. str and an angular current density of 5× 103 μA/str. The current fluctuation is small at the pressure of 10-8Torr. Typical field emission patterns are presented with a dark region at the center and two symmetrical bright regions on both sides. The composition of tip surfaces is analysed by a scanning Auger mic-roprobe.

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