半导体器件中l/f噪声的微观统计模型

史永基

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

半导体器件中l/f噪声的微观统计模型

更新时间：2025-12-08

- 半导体器件中l/f噪声的微观统计模型
- Micro Statistical Model of 1/f Noise in Semiconductor Dvices
- 电子学报 1985年第2期页码：68-73
- 作者机构：
  
  洛阳建筑材料工业专科学校
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1985
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]史永基.半导体器件中l/f噪声的微观统计模型[J].电子学报,1985(02):68-73.

Shi Young-ji. Micro Statistical Model of 1/f Noise in Semiconductor Dvices[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (2): 68-73.
[1]史永基.半导体器件中l/f噪声的微观统计模型[J].电子学报,1985(02):68-73. DOI：

Shi Young-ji. Micro Statistical Model of 1/f Noise in Semiconductor Dvices[J]. Acta Electronica Sinica, 1985, (2): 68-73. DOI：

摘要

半导体器件中1/f噪声的粒子数涨落和迁移率涨落模型具有很大的局限性。本文利用Boltzmann输运理论提出了一个描述其1/f噪声的微观统计模型

得到了与实验更为相符的关于1/f噪声谱密度的公式。

Abstract

In semiconductor devices the number fluctuation and the mobility fluctuation models of 1/f noise have many limitations. A micro statistical model of 1/f noise by Boltz-mann transfort theory is proposed. A general formula of 1/f noise spectrum density is deduced. This formula agrees with experimental results.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

半导体器件中l/f噪声的微观统计模型

Micro Statistical Model of 1/f Noise in Semiconductor Dvices

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references