GD-a-Si<sub>x</sub>C<sub>1-x</sub>:H薄膜光照场效应的研究

王印月; 张仿清; 吴现成; 陈光华

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

GD-a-Si_xC_1-x:H薄膜光照场效应的研究

更新时间：2025-12-08

- GD-a-Si_xC_1-x:H薄膜光照场效应的研究
- Study of Field Effect under Illumination for GD-a-Si_xC_1-x:H Films
- 电子学报 1987年第1期页码：124-126
- 作者机构：
  
  兰州大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1987
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]王印月,张仿清,吴现成,陈光华.GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光照场效应的研究[J].电子学报,1987(01):124-126.

Wang Yin-yue, Zhang Fang-qing, Wu Xian-cbeng, et al. Study of Field Effect under Illumination for GD-a-Si_xC_1-x:H Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (1): 124-126.
[1]王印月,张仿清,吴现成,陈光华.GD-a-Si_xC_(1-x):H薄膜光照场效应的研究[J].电子学报,1987(01):124-126. DOI：

Wang Yin-yue, Zhang Fang-qing, Wu Xian-cbeng, et al. Study of Field Effect under Illumination for GD-a-Si_xC_1-x:H Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1987, (1): 124-126. DOI：

摘要

本文利用MOSFET结构研究了GD-a-Si

1-x

:H薄膜的光照场效应以及光电导和S-W效应。实验测得光照引入的缺陷态密度约为10

/cm

.eV。

Abstract

The field effect of GD-a-Six C1-x:H films under illumination and photoconduction as we ll as the S-W effect are studied using the MOSFET structure. The measurement results show that the density of states due to illumination is about 1017/cm2·eV.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据

GD-a-SixC1-x:H薄膜光照场效应的研究

Study of Field Effect under Illumination for GD-a-SixC1-x:H Films

DOI：

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references

GD-a-Si_xC_1-x:H薄膜光照场效应的研究

Study of Field Effect under Illumination for GD-a-Si_xC_1-x:H Films