一种新的低压电子注入器

陆兆康

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一种新的低压电子注入器

更新时间：2025-12-08

- 一种新的低压电子注入器
- A New Injector Used at Low Voltages
- 电子学报 1984年第4期页码：63-70
- 作者机构：
  
  北京半导体器件一厂
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]陆兆康.一种新的低压电子注入器[J].电子学报,1984(04):63-70.

Lu Shao-kang. A New Injector Used at Low Voltages[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (4): 63-70.
[1]陆兆康.一种新的低压电子注入器[J].电子学报,1984(04):63-70. DOI：

Lu Shao-kang. A New Injector Used at Low Voltages[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (4): 63-70. DOI：

摘要

本文提出了一种由氧化钛化硅薄膜制成的新型低压电子注入器。测试了样品的I-V特性、电击穿特性、电容特性和光照下电流的变化。试验证明

该样品在较低的电场强度下有较大的电子流注入二氧化硅绝缘层。借助RBS能谱图、X射线结构分析以及SEM照象

对不同的样品的微观结构进行了研究。

Abstract

A new injector

made of oxidized TiSi2 film and suitable for low voltages （6-10V）

is introduced. Its characteristics are measured. Experiments show that

with this structure

more electrons are injected into the SiO2 under a low electric field. The RBS spectra. X-ray diffration and SEM microphotographs are employed to study the microstructures of the various samples.

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