等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

承焕生; 王季陶; 周筑颖; 徐志伟; 任月华; 张世理

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析

更新时间：2025-12-08

- 等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析
- Analysis of Hydrogen content in Plasma-Deposited Silicon Nitride Films
- 电子学报 1984年第6期页码：63-67
- 作者机构：
  
  复旦大学
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]承焕生,王季陶,周筑颖,徐志伟,任月华,张世理.等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析[J].电子学报,1984(06):63-67.

Cheng Huan-sheng. Wang Ji-tao, Zhou Zhu-ying, Xu Zhi-wei, et al. Analysis of Hydrogen content in Plasma-Deposited Silicon Nitride Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (6): 63-67.
[1]承焕生,王季陶,周筑颖,徐志伟,任月华,张世理.等离子体淀积氮化硅膜的含氢量分析[J].电子学报,1984(06):63-67. DOI：

Cheng Huan-sheng. Wang Ji-tao, Zhou Zhu-ying, Xu Zhi-wei, et al. Analysis of Hydrogen content in Plasma-Deposited Silicon Nitride Films[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (6): 63-67. DOI：

摘要

采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量

并结合运用RBS和核反应

O（d

p）

O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时

氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化

及与其它特性（折射率、密度、腐蚀速率）的相关性。

Abstract

The hydrogen content in the silicon nitride films plasma-deposited at 20℃-560℃ has been determined by He-H elastic recoil detection technique combined with Rutherford Back Scattering and nuclear reaction 16O（d. p）17O. The effect of substrate temperature on hydrogen quantity

Si/N ratio in films

refractive index and density of films are presented. The correlation between the hydrogen content and BOE etch rate is given.

关键词

Keywords

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据