LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析

陈弘毅; 杨之廉

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LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析

更新时间：2025-12-08

- LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析
- Analysis of Sensitivity of S/R Amplifier for LSI Single Transistor Cell MOS DRAM
- 电子学报 1984年第1期页码：71-77
- 作者机构：
  
  清华大学微电子学研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]陈弘毅,杨之廉.LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析[J].电子学报,1984(01):71-77.

Chen Hong-yi, Yang Ji-lian. Analysis of Sensitivity of S/R Amplifier for LSI Single Transistor Cell MOS DRAM[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (1): 71-77.
[1]陈弘毅,杨之廉.LSI动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析[J].电子学报,1984(01):71-77. DOI：

Chen Hong-yi, Yang Ji-lian. Analysis of Sensitivity of S/R Amplifier for LSI Single Transistor Cell MOS DRAM[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (1): 71-77. DOI：

摘要

本文考虑了晶体管各种寄生电容和阈值衬底调制效应

导出了单管动态RAM中S/R放大器检测灵敏度与材料、工艺、电路参数间的定量关系。计算机模拟表明

导出的灵敏度公式与模拟值在很宽的节点电容变化范围内都符合得较好

揭示出了提高极限灵敏度的途径。

Abstract

With various parasitic capacitors and the bulk effect of the threshold voltage of MOSFET in consideration

a quantitative expression is derived for the sensitivity of S/R amplifier in LSI single-transistor-cell DRAM as a function of the materials

technology and circuit parameters. The formula is checked by detailed computer simulation and good agreement is achieved for a wide range of node capacitance values. The new expression is expected to be useful in engineering design

pointing out the ways to improve the amplifier’s limit sensitivity.

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