无显影光刻机理的探讨

刘济民; 郭增权; 李大虹

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无显影光刻机理的探讨

更新时间：2025-12-08

- 无显影光刻机理的探讨
- Investigation of Mechanism of Latent-Image Photoetching
- 电子学报 1984年第2期页码：63-69
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984
- 稿件说明：
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[1]刘济民,郭增权,李大虹.无显影光刻机理的探讨[J].电子学报,1984(02):63-69.

Liu Ji-min, Guo Zeng-quan, Lin Da-hong. Investigation of Mechanism of Latent-Image Photoetching[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (2): 63-69.
[1]刘济民,郭增权,李大虹.无显影光刻机理的探讨[J].电子学报,1984(02):63-69. DOI：

Liu Ji-min, Guo Zeng-quan, Lin Da-hong. Investigation of Mechanism of Latent-Image Photoetching[J]. Acta Electronica Sinica, 1984, (2): 63-69. DOI：

摘要

本文研究了无显影光刻的机理

得出的结论是:氢氟酸与SiO

反应生成气态SiF

是无显影光刻实现的基础

凝胶的半透膜物化作用是促进氢氟酸腐蚀作用的媒介;光敏物质经光化学反应形成或改变其共振结构

是导致氢氟酸腐蚀效率改变的关键。

Abstract

The mechanism of latent-image photoetching is investigated. The conclusion is that the reaction of fluorhydric acid and silicon dioxide is the base of latent-image etching. The semipermeable membrane of gel film promotes the etching. Under photochemical reaction the photosensitizer becomes the resonance system which affects the etching rate.

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